참고용
부품 번호: | MT47H512M4THN-3:H |
상표: | Micron Technology |
라이프사이클: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
범주: | 집적 회로 |
하위 카테고리: | 메모리 |
제조사: | Micron Technology |
시리즈: | - |
패키지: | Tray |
부품 상태: | Obsolete |
메모리 유형: | Volatile |
메모리 형식: | DRAM |
기술: | SDRAM - DDR2 |
메모리 크기: | 2Gb (512M x 4) |
메모리 인터페이스: | Parallel |
클록 주파수: | 333 MHz |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | 15ns |
액세스 시간: | 450 ps |
전압 - 공급: | 1.7V ~ 1.9V |
작동 온도: | 0°C ~ 85°C (TC) |
장착 유형: | Surface Mount |
패키지/케이스: | 63-TFBGA |
공급자 장치 패키지: | 63-FBGA (8x10) |
7143SA35J | IC SRAM 32KBIT PARALLEL 68PLCC | 913 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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PF48F4400P0VBQEJ | IC FLASH 512MBIT PARALLEL 88SCSP | 967 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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W29N01HVSIAA | IC 1GBIT NAND 3V X 8BIT 48TSSOP | 811 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IS42S16320D-6BI | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54TFBGA | 951 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT49H16M36BM-25E:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA | 895 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT42L128M32D1LF-25 WT:A TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168FBGA | 885 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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16-1011421-01-T | IC GATE NAND | 867 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CG8170AAT | IC PSOC1 | 855 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT29F1G16ABBEAM68M3WC2 | IC FLASH 1GBIT PARALLEL | 902 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR | IC DRAM 32GBIT 1866MHZ FBGA | 916 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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580536-002-00 | IC FLASH NOR | 931 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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25AA080A-I/S15K | IC EEPROM 8KBIT SPI 10MHZ DIE | 812 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT49H32M9FM-25:B TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA | 966 주문에 대해 자세히 알아보기 |
재고 | 10821 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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견적 한도 | 제한 없음 |
리드타임 | 확인 예정 |
최저한의 | 1 |
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