MT47H512M4THN-3:H

MT47H512M4THN-3:H
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부품 번호 MT47H512M4THN-3:H
LIXINC Part # MT47H512M4THN-3:H
제조사 Micron Technology
범주 집적 회로메모리
설명 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA
라이프사이클 활동적인
RoHS RoHS 정보 없음
EDA/CAD 모델 MT47H512M4THN-3:H PCB 풋프린트 및 기호
창고 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR
예상 배달 시간 Oct 19 - Oct 23 2024(빠른 배송 선택)
보증 최대 1년 [제한 보증]*
지불 Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
배송 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MT47H512M4THN-3:H 명세서

부품 번호:MT47H512M4THN-3:H
상표:Micron Technology
라이프사이클:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
범주:집적 회로
하위 카테고리:메모리
제조사:Micron Technology
시리즈:-
패키지:Tray
부품 상태:Obsolete
메모리 유형:Volatile
메모리 형식:DRAM
기술:SDRAM - DDR2
메모리 크기:2Gb (512M x 4)
메모리 인터페이스:Parallel
클록 주파수:333 MHz
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:15ns
액세스 시간:450 ps
전압 - 공급:1.7V ~ 1.9V
작동 온도:0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형:Surface Mount
패키지/케이스:63-TFBGA
공급자 장치 패키지:63-FBGA (8x10)

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