참고용
| 부품 번호: | 7143SA35J |
| 상표: | Renesas Electronics America |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 집적 회로 |
| 하위 카테고리: | 메모리 |
| 제조사: | Renesas Electronics America |
| 시리즈: | - |
| 패키지: | Tube |
| 부품 상태: | Obsolete |
| 메모리 유형: | Volatile |
| 메모리 형식: | SRAM |
| 기술: | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
| 메모리 크기: | 32Kb (2K x 16) |
| 메모리 인터페이스: | Parallel |
| 클록 주파수: | - |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | 35ns |
| 액세스 시간: | 35 ns |
| 전압 - 공급: | 4.5V ~ 5.5V |
| 작동 온도: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 장착 유형: | Surface Mount |
| 패키지/케이스: | 68-LCC (J-Lead) |
| 공급자 장치 패키지: | 68-PLCC (24.21x24.21) |
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PF48F4400P0VBQEJ | IC FLASH 512MBIT PARALLEL 88SCSP | 825 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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W29N01HVSIAA | IC 1GBIT NAND 3V X 8BIT 48TSSOP | 823 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IS42S16320D-6BI | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54TFBGA | 958 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT49H16M36BM-25E:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA | 928 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT42L128M32D1LF-25 WT:A TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168FBGA | 875 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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16-1011421-01-T | IC GATE NAND | 980 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CG8170AAT | IC PSOC1 | 873 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT29F1G16ABBEAM68M3WC2 | IC FLASH 1GBIT PARALLEL | 831 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR | IC DRAM 32GBIT 1866MHZ FBGA | 985 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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580536-002-00 | IC FLASH NOR | 963 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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25AA080A-I/S15K | IC EEPROM 8KBIT SPI 10MHZ DIE | 950 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT49H32M9FM-25:B TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA | 926 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A | IC FLASH 512GBIT PAR 132LBGA | 954 주문에 대해 자세히 알아보기 |
| 재고 | 10836 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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