참고용
부품 번호 | IPI120N04S302AKSA1 |
LIXINC Part # | IPI120N04S302AKSA1 |
제조사 | Rochester Electronics |
범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
설명 | OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET |
라이프사이클 | 활동적인 |
RoHS | RoHS 정보 없음 |
EDA/CAD 모델 | IPI120N04S302AKSA1 PCB 풋프린트 및 기호 |
창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
예상 배달 시간 | Oct 09 - Oct 13 2024(빠른 배송 선택) |
보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
지불 | |
배송 |
부품 번호: | IPI120N04S302AKSA1 |
상표: | Rochester Electronics |
라이프사이클: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
범주: | 이산 반도체 |
하위 카테고리: | 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
제조사: | Rochester Electronics |
시리즈: | OptiMOS™ |
패키지: | Bulk |
부품 상태: | Active |
페트 유형: | N-Channel |
기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
드레인-소스 전압(vdss): | 40 V |
전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c: | 120A (Tc) |
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐): | 10V |
rds on(최대) @ id, vgs: | 2.3mOhm @ 80A, 10V |
vgs(일)(최대) @ id: | 4V @ 230µA |
게이트 전하(qg)(최대) @ vgs: | 210 nC @ 10 V |
vgs(최대): | ±20V |
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds: | 14.3 pF @ 25 V |
fet 기능: | - |
전력 손실(최대): | 300W (Tc) |
작동 온도: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
장착 유형: | Through Hole |
공급자 장치 패키지: | PG-TO262-3 |
패키지/케이스: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
ZVP0545ASTZ | MOSFET P-CH 450V 45MA E-LINE | 1000 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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FQPF12N60C-FS | 12A, 600V, 0.65OHM, N-CHANNEL, | 4911 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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TK12A60D(STA4,Q,M) | MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS | 882 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IRFW720BTMNL | N-CHANNEL POWER MOSFET | 12028 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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NTMFS4837NT1G | MOSFET N-CH 30V 10A/74A 5DFN | 220089 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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STD2HNK60Z-1 | MOSFET N-CH 600V 2A IPAK | 4136 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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APT10045B2FLLG | MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX | 964 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IXFK80N60P3 | MOSFET N-CH 600V 80A TO264AA | 1072 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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FDV303N | MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23 | 108749 주문에 대해 자세히 알아보기 |
재고 | 51741 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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견적 한도 | 제한 없음 |
리드타임 | 확인 예정 |
최저한의 | 1 |
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