TK12A60D(STA4,Q,M) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK12A60D(STA4,Q,M) | TK12A60D(STA4,Q,M) Inventory, Best Pricing

TK12A60D(STA4,Q,M)

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참고용

부품 번호	TK12A60D(STA4,Q,M)
LIXINC Part #	TK12A60D(STA4,Q,M)
제조사	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
범주	이산 반도체 › 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일
설명	MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
라이프사이클	활동적인
RoHS	RoHS 정보 없음
EDA/CAD 모델	TK12A60D(STA4,Q,M) PCB 풋프린트 및 기호
창고	미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR
예상 배달 시간	Oct 09 - Oct 13 2024(빠른 배송 선택)
보증	최대 1년 [제한 보증]*
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TK12A60D(STA4,Q,M) 명세서

부품 번호:	TK12A60D(STA4,Q,M)
상표:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
라이프사이클:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
범주:	이산 반도체
하위 카테고리:	트랜지스터 - fet, mosfets - 단일
제조사:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
시리즈:	π-MOSVII
패키지:	Tube
부품 상태:	Active
페트 유형:	N-Channel
기술:	MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss):	600 V
전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c:	12A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):	10V
rds on(최대) @ id, vgs:	550mOhm @ 6A, 10V
vgs(일)(최대) @ id:	4V @ 1mA
게이트 전하(qg)(최대) @ vgs:	38 nC @ 10 V
vgs(최대):	±30V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds:	1800 pF @ 25 V
fet 기능:	-
전력 손실(최대):	45W (Tc)
작동 온도:	150°C (TJ)
장착 유형:	Through Hole
공급자 장치 패키지:	TO-220SIS
패키지/케이스:	TO-220-3 Full Pack

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