참고용
부품 번호: | GS81314LD36GK-133I |
상표: | GSI Technology |
라이프사이클: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
범주: | 집적 회로 |
하위 카테고리: | 메모리 |
제조사: | GSI Technology |
시리즈: | - |
패키지: | Tray |
부품 상태: | Active |
메모리 유형: | Volatile |
메모리 형식: | SRAM |
기술: | SRAM - Quad Port, Synchronous |
메모리 크기: | 144Mb (4M x 36) |
메모리 인터페이스: | Parallel |
클록 주파수: | 1.333 GHz |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | - |
액세스 시간: | - |
전압 - 공급: | 1.2V ~ 1.35V |
작동 온도: | -40°C ~ 100°C (TJ) |
장착 유형: | Surface Mount |
패키지/케이스: | 260-BGA |
공급자 장치 패키지: | 260-BGA (22x14) |
MT46V32M4TG-6T:D TR | IC DRAM 128MBIT PARALLEL 66TSOP | 1125 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CAT24C128HU3I-GT3 | IC EEPROM 128KBIT I2C 1MHZ 8UDFN | 8967 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MX25R6435FM2JL0 | IC FLSH 64MBIT SPI/QUAD I/O 8SOP | 955 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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25LC256-I/SN | IC EEPROM 256KBIT SPI 8SOIC | 1316 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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UPD44164184BF5-E40-EQ3 | DDR SRAM, 1MX18, 0.45NS | 7708 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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24C02CT-E/SN | IC EEPROM 2KBIT I2C 100KHZ 8SOIC | 3238 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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EDB2432B4MA-1DAAT-F-D | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA | 816 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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AS4C256M16D3LC-12BANTR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA | 808 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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71V124SA12TYG | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | 1182 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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24LC16BT-E/MS | IC EEPROM 16KBIT I2C 8MSOP | 839 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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70T631S12BCI8 | IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA | 918 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CY7C1418KV18-250BZC | DDR SRAM, 2MX18, 0.45NS, CMOS, P | 1533 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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NM25C040N | EEPROM, 512X8, SERIAL PDIP8 | 1704 주문에 대해 자세히 알아보기 |
재고 | 10953 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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견적 한도 | 제한 없음 |
리드타임 | 확인 예정 |
최저한의 | 1 |
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