참고용
| 부품 번호: | MT46V32M4TG-6T:D TR |
| 상표: | Micron Technology |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 집적 회로 |
| 하위 카테고리: | 메모리 |
| 제조사: | Micron Technology |
| 시리즈: | - |
| 패키지: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 부품 상태: | Obsolete |
| 메모리 유형: | Volatile |
| 메모리 형식: | DRAM |
| 기술: | SDRAM - DDR |
| 메모리 크기: | 128Mb (32M x 4) |
| 메모리 인터페이스: | Parallel |
| 클록 주파수: | 167 MHz |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | 15ns |
| 액세스 시간: | 700 ps |
| 전압 - 공급: | 2.3V ~ 2.7V |
| 작동 온도: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 장착 유형: | Surface Mount |
| 패키지/케이스: | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| 공급자 장치 패키지: | 66-TSOP |
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CAT24C128HU3I-GT3 | IC EEPROM 128KBIT I2C 1MHZ 8UDFN | 8835 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MX25R6435FM2JL0 | IC FLSH 64MBIT SPI/QUAD I/O 8SOP | 973 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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25LC256-I/SN | IC EEPROM 256KBIT SPI 8SOIC | 1394 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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UPD44164184BF5-E40-EQ3 | DDR SRAM, 1MX18, 0.45NS | 7672 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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24C02CT-E/SN | IC EEPROM 2KBIT I2C 100KHZ 8SOIC | 3110 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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EDB2432B4MA-1DAAT-F-D | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA | 870 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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AS4C256M16D3LC-12BANTR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA | 986 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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71V124SA12TYG | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | 1081 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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24LC16BT-E/MS | IC EEPROM 16KBIT I2C 8MSOP | 926 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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70T631S12BCI8 | IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA | 941 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CY7C1418KV18-250BZC | DDR SRAM, 2MX18, 0.45NS, CMOS, P | 1539 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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NM25C040N | EEPROM, 512X8, SERIAL PDIP8 | 1609 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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71V3577S80PFG | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP | 839 주문에 대해 자세히 알아보기 |
| 재고 | 11036 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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| 1000 | $5.80669 | $5806.69 |
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