APT35GP120B2DQ2G | Roving Networks / Microchip Technology APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

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참고용

부품 번호	APT35GP120B2DQ2G
LIXINC Part #	APT35GP120B2DQ2G
제조사	Roving Networks / Microchip Technology
범주	이산 반도체 › 트랜지스터 - igbts - 단일
설명	IGBT 1200V 96A 543W TMAX
라이프사이클	활동적인
RoHS	RoHS 정보 없음
EDA/CAD 모델	APT35GP120B2DQ2G PCB 풋프린트 및 기호
창고	미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR
예상 배달 시간	Oct 10 - Oct 14 2024(빠른 배송 선택)
보증	최대 1년 [제한 보증]*
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APT35GP120B2DQ2G 명세서

부품 번호:	APT35GP120B2DQ2G
상표:	Roving Networks / Microchip Technology
라이프사이클:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
범주:	이산 반도체
하위 카테고리:	트랜지스터 - igbts - 단일
제조사:	Roving Networks / Microchip Technology
시리즈:	POWER MOS 7®
패키지:	Tube
부품 상태:	Active
igbt 유형:	PT
전압 - 컬렉터 이미 터 고장(최대):	1200 V
전류 - 컬렉터(ic)(최대):	96 A
전류 - 컬렉터 펄스(icm):	140 A
vce(on) (최대) @ vge, ic:	3.9V @ 15V, 35A
전력 - 최대:	543 W
스위칭 에너지:	750µJ (on), 680µJ (off)
입력 유형:	Standard
게이트 요금:	150 nC
td(온/오프) @ 25°c:	16ns/95ns
테스트 조건:	600V, 35A, 4.3Ohm, 15V
역회복 시간(trr):	-
작동 온도:	-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-247-3 Variant
공급자 장치 패키지:	-

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