참고용
부품 번호 | IGB50N65S5ATMA1 |
LIXINC Part # | IGB50N65S5ATMA1 |
제조사 | IR (Infineon Technologies) |
범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - igbts - 단일 |
설명 | IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO263-3 |
라이프사이클 | 활동적인 |
RoHS | RoHS 정보 없음 |
EDA/CAD 모델 | IGB50N65S5ATMA1 PCB 풋프린트 및 기호 |
창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
예상 배달 시간 | Oct 10 - Oct 14 2024(빠른 배송 선택) |
보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
지불 | |
배송 |
부품 번호: | IGB50N65S5ATMA1 |
상표: | IR (Infineon Technologies) |
라이프사이클: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
범주: | 이산 반도체 |
하위 카테고리: | 트랜지스터 - igbts - 단일 |
제조사: | IR (Infineon Technologies) |
시리즈: | TrenchStop™ 5 |
패키지: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
부품 상태: | Active |
igbt 유형: | Trench Field Stop |
전압 - 컬렉터 이미 터 고장(최대): | 650 V |
전류 - 컬렉터(ic)(최대): | 80 A |
전류 - 컬렉터 펄스(icm): | 200 A |
vce(on) (최대) @ vge, ic: | 1.7V @ 15V, 50A |
전력 - 최대: | 270 W |
스위칭 에너지: | 1.23mJ (on), 740µJ (off) |
입력 유형: | Standard |
게이트 요금: | 120 nC |
td(온/오프) @ 25°c: | 20ns/139ns |
테스트 조건: | 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V |
역회복 시간(trr): | - |
작동 온도: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
장착 유형: | Surface Mount |
패키지/케이스: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
공급자 장치 패키지: | PG-TO263-3 |
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견적 한도 | 제한 없음 |
리드타임 | 확인 예정 |
최저한의 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $3.38000 | $3.38 |
1000 | $2.26829 | $2268.29 |
2000 | $2.17264 | $4345.28 |
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