HGTP5N120BND | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor HGTP5N120BND

HGTP5N120BND

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참고용

부품 번호	HGTP5N120BND
LIXINC Part #	HGTP5N120BND
제조사	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
범주	이산 반도체 › 트랜지스터 - igbts - 단일
설명	IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
라이프사이클	활동적인
RoHS	RoHS 정보 없음
EDA/CAD 모델	HGTP5N120BND PCB 풋프린트 및 기호
창고	미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR
예상 배달 시간	Oct 07 - Oct 11 2024(빠른 배송 선택)
보증	최대 1년 [제한 보증]*
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HGTP5N120BND 명세서

부품 번호:	HGTP5N120BND
상표:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
라이프사이클:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
범주:	이산 반도체
하위 카테고리:	트랜지스터 - igbts - 단일
제조사:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
시리즈:	-
패키지:	Tube
부품 상태:	Not For New Designs
igbt 유형:	NPT
전압 - 컬렉터 이미 터 고장(최대):	1200 V
전류 - 컬렉터(ic)(최대):	21 A
전류 - 컬렉터 펄스(icm):	40 A
vce(on) (최대) @ vge, ic:	2.7V @ 15V, 5A
전력 - 최대:	167 W
스위칭 에너지:	450µJ (on), 390µJ (off)
입력 유형:	Standard
게이트 요금:	53 nC
td(온/오프) @ 25°c:	22ns/160ns
테스트 조건:	960V, 5A, 25Ohm, 15V
역회복 시간(trr):	65 ns
작동 온도:	-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-220-3
공급자 장치 패키지:	TO-220-3

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