참고용
부품 번호 | HGTP5N120BND |
LIXINC Part # | HGTP5N120BND |
제조사 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - igbts - 단일 |
설명 | IGBT 1200V 21A 167W TO220AB |
라이프사이클 | 활동적인 |
RoHS | RoHS 정보 없음 |
EDA/CAD 모델 | HGTP5N120BND PCB 풋프린트 및 기호 |
창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
예상 배달 시간 | Oct 07 - Oct 11 2024(빠른 배송 선택) |
보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
지불 | |
배송 |
부품 번호: | HGTP5N120BND |
상표: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
라이프사이클: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
범주: | 이산 반도체 |
하위 카테고리: | 트랜지스터 - igbts - 단일 |
제조사: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
시리즈: | - |
패키지: | Tube |
부품 상태: | Not For New Designs |
igbt 유형: | NPT |
전압 - 컬렉터 이미 터 고장(최대): | 1200 V |
전류 - 컬렉터(ic)(최대): | 21 A |
전류 - 컬렉터 펄스(icm): | 40 A |
vce(on) (최대) @ vge, ic: | 2.7V @ 15V, 5A |
전력 - 최대: | 167 W |
스위칭 에너지: | 450µJ (on), 390µJ (off) |
입력 유형: | Standard |
게이트 요금: | 53 nC |
td(온/오프) @ 25°c: | 22ns/160ns |
테스트 조건: | 960V, 5A, 25Ohm, 15V |
역회복 시간(trr): | 65 ns |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
장착 유형: | Through Hole |
패키지/케이스: | TO-220-3 |
공급자 장치 패키지: | TO-220-3 |
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재고 | 10962 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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견적 한도 | 제한 없음 |
리드타임 | 확인 예정 |
최저한의 | 1 |
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