FQU11P06TU | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FQU11P06TU

FQU11P06TU

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참고용

부품 번호	FQU11P06TU
LIXINC Part #	FQU11P06TU
제조사	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
범주	이산 반도체 › 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일
설명	MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK
라이프사이클	활동적인
RoHS	RoHS 정보 없음
EDA/CAD 모델	FQU11P06TU PCB 풋프린트 및 기호
창고	미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR
예상 배달 시간	Oct 08 - Oct 12 2024(빠른 배송 선택)
보증	최대 1년 [제한 보증]*
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FQU11P06TU 명세서

부품 번호:	FQU11P06TU
상표:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
라이프사이클:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
범주:	이산 반도체
하위 카테고리:	트랜지스터 - fet, mosfets - 단일
제조사:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
시리즈:	QFET®
패키지:	Tube
부품 상태:	Active
페트 유형:	P-Channel
기술:	MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss):	60 V
전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c:	9.4A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):	10V
rds on(최대) @ id, vgs:	185mOhm @ 4.7A, 10V
vgs(일)(최대) @ id:	4V @ 250µA
게이트 전하(qg)(최대) @ vgs:	17 nC @ 10 V
vgs(최대):	±30V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds:	550 pF @ 25 V
fet 기능:	-
전력 손실(최대):	2.5W (Ta), 38W (Tc)
작동 온도:	-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형:	Through Hole
공급자 장치 패키지:	I-PAK
패키지/케이스:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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