참고용
| 부품 번호 | NTB10N60 |
| LIXINC Part # | NTB10N60 |
| 제조사 | Rochester Electronics |
| 범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
| 설명 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 라이프사이클 | 활동적인 |
| RoHS | RoHS 정보 없음 |
| EDA/CAD 모델 | NTB10N60 PCB 풋프린트 및 기호 |
| 창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
| 예상 배달 시간 | Oct 08 - Oct 12 2024(빠른 배송 선택) |
| 보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
| 지불 | 
|
| 배송 |  |
| 부품 번호: | NTB10N60 |
| 상표: | Rochester Electronics |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 이산 반도체 |
| 하위 카테고리: | 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
| 제조사: | Rochester Electronics |
| 시리즈: | * |
| 패키지: | Bulk |
| 부품 상태: | Active |
| 페트 유형: | - |
| 기술: | - |
| 드레인-소스 전압(vdss): | - |
| 전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c: | - |
| 구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐): | - |
| rds on(최대) @ id, vgs: | - |
| vgs(일)(최대) @ id: | - |
| 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs: | - |
| vgs(최대): | - |
| 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds: | - |
| fet 기능: | - |
| 전력 손실(최대): | - |
| 작동 온도: | - |
| 장착 유형: | - |
| 공급자 장치 패키지: | - |
| 패키지/케이스: | - |
 |
STW74NF30 | MOSFET N-CH 300V 60A TO247 | 985 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
PMV65XPER | MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB | 1160 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
PMZ550UNE315 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 930 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
IRFS3607TRLPBF | MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK | 954 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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FQPF45N15V2 | MOSFET N-CH 150V 45A TO220F | 1309 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
SQJ454EP-T1_GE3 | MOSFET N-CH 200V 13A PPAK SO-8 | 6405 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
TK13A50DA(STA4,Q,M | MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220SIS | 905 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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STD7N65M2 | MOSFET N-CH 650V 5A DPAK | 994 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IPA60R280C6XKSA1 | MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-FP | 934 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
SQM50N04-4M0L_GE3 | MOSFET N-CHANNEL 40V 50A TO263 | 961 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
SIHB33N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK | 3845 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IRFR010TRPBF | MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK | 889 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
CSD25213W10 | MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA | 18499 주문에 대해 자세히 알아보기 |
| 재고 | 11259 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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| 1 | $0.60000 | $0.6 |
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