참고용
| 부품 번호 | MWT-3F |
| LIXINC Part # | MWT-3F |
| 제조사 | Microwave Technology |
| 범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - fet, mosfets - rf |
| 설명 | HIGH POWER GAAS MESFET |
| 라이프사이클 | 활동적인 |
| RoHS | RoHS 정보 없음 |
| EDA/CAD 모델 | MWT-3F PCB 풋프린트 및 기호 |
| 창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
| 예상 배달 시간 | Oct 20 - Oct 24 2024(빠른 배송 선택) |
| 보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
| 지불 | 
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| 배송 |  |
| 부품 번호: | MWT-3F |
| 상표: | Microwave Technology |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 이산 반도체 |
| 하위 카테고리: | 트랜지스터 - fet, mosfets - rf |
| 제조사: | Microwave Technology |
| 시리즈: | - |
| 패키지: | Case |
| 부품 상태: | Active |
| 트랜지스터 유형: | MESFET |
| 빈도: | 500MHz ~ 26GHz |
| 얻다: | 11dB |
| 전압 - 테스트: | 4 V |
| 전류 정격(암페어): | 110mA |
| 노이즈 피겨: | - |
| 현재 - 테스트: | 110 mA |
| 전력 - 출력: | 22dBm |
| 전압 - 정격: | 6 V |
| 패키지/케이스: | Die |
| 공급자 장치 패키지: | Chip |
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SCH1410-TL-E | NCH 2.5V DRIVE SERIES | 818 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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BF886H6327XTSA1 | MOSFET N-CH RF 12V 30MA SOT-343 | 937 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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GTVA101K42EV-V1-R250 | GAN HEMT 50V 1400W 0.96-1.4GHZ | 916 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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PTFB241402F-V1-R250 | IC AMP RF LDMOS | 903 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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PD57045-E | FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 | 926 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IGN0912LM500 | GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND | 1010 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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GTRA362802FC-V1-R2 | 280W, GAN HEMT, 48V, 3400-3600MH | 995 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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PXFC192207SHV1R250XTMA1 | IC AMP RF LDMOS | 867 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IRFAE30 | N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET | 872 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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GTVA261701FA-V1-R2 | GAN SIC | 944 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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SD56060 | RF POWER TRANSISTOR, THE LDMOSST | 821 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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GTVA262711FA-V2-R2 | GAN HEMT 48V 300W 2496-2690MHZ | 913 주문에 대해 자세히 알아보기 |
| 재고 | 11081 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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| 1 | $49.85000 | $49.85 |
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