참고용
부품 번호 | BF886H6327XTSA1 |
LIXINC Part # | BF886H6327XTSA1 |
제조사 | IR (Infineon Technologies) |
범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - fet, mosfets - rf |
설명 | MOSFET N-CH RF 12V 30MA SOT-343 |
라이프사이클 | 활동적인 |
RoHS | RoHS 정보 없음 |
EDA/CAD 모델 | BF886H6327XTSA1 PCB 풋프린트 및 기호 |
창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
예상 배달 시간 | Oct 20 - Oct 24 2024(빠른 배송 선택) |
보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
지불 | |
배송 |
부품 번호: | BF886H6327XTSA1 |
상표: | IR (Infineon Technologies) |
라이프사이클: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
범주: | 이산 반도체 |
하위 카테고리: | 트랜지스터 - fet, mosfets - rf |
제조사: | IR (Infineon Technologies) |
시리즈: | * |
패키지: | Tape & Reel (TR) |
부품 상태: | Active |
트랜지스터 유형: | - |
빈도: | - |
얻다: | - |
전압 - 테스트: | - |
전류 정격(암페어): | - |
노이즈 피겨: | - |
현재 - 테스트: | - |
전력 - 출력: | - |
전압 - 정격: | - |
패키지/케이스: | - |
공급자 장치 패키지: | - |
GTVA101K42EV-V1-R250 | GAN HEMT 50V 1400W 0.96-1.4GHZ | 868 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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PTFB241402F-V1-R250 | IC AMP RF LDMOS | 949 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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PD57045-E | FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 | 992 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|
IGN0912LM500 | GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND | 828 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|
GTRA362802FC-V1-R2 | 280W, GAN HEMT, 48V, 3400-3600MH | 805 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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NTD3055AV1 | NFET DPAK 60V 0.15R | 831 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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PXFC192207SHV1R250XTMA1 | IC AMP RF LDMOS | 858 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IRFAE30 | N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET | 826 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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GTVA261701FA-V1-R2 | GAN SIC | 993 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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SD56060 | RF POWER TRANSISTOR, THE LDMOSST | 947 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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GTVA262711FA-V2-R2 | GAN HEMT 48V 300W 2496-2690MHZ | 948 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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2SK853A(1)-T1-A | SMALL SIGNAL FET | 9847 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MRF7S38040HSR3 | FET RF 65V 3.6GHZ NI-400S | 866 주문에 대해 자세히 알아보기 |
재고 | 10861 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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견적 한도 | 제한 없음 |
리드타임 | 확인 예정 |
최저한의 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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3000 | $0.17453 | $523.59 |
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