참고용
| 부품 번호: | M29W256GH7AZA6E |
| 상표: | Micron Technology |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 집적 회로 |
| 하위 카테고리: | 메모리 |
| 제조사: | Micron Technology |
| 시리즈: | - |
| 패키지: | Tray |
| 부품 상태: | Obsolete |
| 메모리 유형: | Non-Volatile |
| 메모리 형식: | FLASH |
| 기술: | FLASH - NOR |
| 메모리 크기: | 256Mb (32M x 8, 16M x 16) |
| 메모리 인터페이스: | Parallel |
| 클록 주파수: | - |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | 70ns |
| 액세스 시간: | 70 ns |
| 전압 - 공급: | 2.7V ~ 3.6V |
| 작동 온도: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 장착 유형: | Surface Mount |
| 패키지/케이스: | 64-TBGA |
| 공급자 장치 패키지: | 64-TBGA (10x13) |
|
AT28C040-25BI | IC EEPROM 4MBIT PARALLEL 32CDIP | 809 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|
MTFC4GACAAEA-WT | IC FLASH 32GBIT MMC WFBGA | 860 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|
MT61M256M32JE-12 N:A TR | IC RAM 8GBIT PARALLEL 180FBGA | 826 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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70V9079L9PFI8 | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP | 892 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|
51-20538Z01-A | IC GATE NOR | 867 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|
MT29F128G08CBCEBL05B3WC1ES | MLC 128G DIE 16GX8 | 801 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|
ECF620AAACN-C1-Y3 | LPDDR3 6G DIE 192MX32 | 980 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|
QMP29GL512R10TFIR10 | IC MEMORY NOR | 952 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|
MT40A1G8WE-083E AAT:B | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | 863 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|
IS61NLP25672-200B1I | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 209LFBGA | 935 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|
MT47H512M4EB-187E:C | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA | 994 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|
MT53E256M16D1DS-046 AIT:B TR | IC DRAM LPDDR4 WFBGA | 946 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|
7143LA35J | IC SRAM 32KBIT PARALLEL 68PLCC | 887 주문에 대해 자세히 알아보기 |
| 재고 | 10971 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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|---|---|---|
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