참고용
| 부품 번호: | M29W256GH7AN6E |
| 상표: | Micron Technology |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 집적 회로 |
| 하위 카테고리: | 메모리 |
| 제조사: | Micron Technology |
| 시리즈: | - |
| 패키지: | Tray |
| 부품 상태: | Obsolete |
| 메모리 유형: | Non-Volatile |
| 메모리 형식: | FLASH |
| 기술: | FLASH - NOR |
| 메모리 크기: | 256Mb (32M x 8, 16M x 16) |
| 메모리 인터페이스: | Parallel |
| 클록 주파수: | - |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | 70ns |
| 액세스 시간: | 70 ns |
| 전압 - 공급: | 2.7V ~ 3.6V |
| 작동 온도: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 장착 유형: | Surface Mount |
| 패키지/케이스: | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| 공급자 장치 패키지: | 56-TSOP |
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7016S35JI | IC SRAM 144K PARALLEL 68PLCC | 833 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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71V321S55PFI8 | IC SRAM 16KBIT PARALLEL 64TQFP | 867 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CG7985AA | IC SRAM 100TQFP | 841 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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25AA020A/W16K | IC EEPROM 2KBIT SPI 10MHZ DIE | 914 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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7024S35JI8 | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 84PLCC | 866 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT29F512G08EMCBBJ5-10ES:B TR | IC FLASH 512GBIT PARALLEL 100MHZ | 910 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT29E6T08ETHBBM5-3ES:B TR | IC FLASH 6TB PARALLEL 333MHZ | 806 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT42L128M64D2LL-25 IT:A TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 216FBGA | 869 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT28EW01GABA1HPC-1SIT TR | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64LBGA | 865 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IS43TR16512AL-107MBLI-TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LFBGA | 963 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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S98WS512P00FW0032 | IC GATE NOR | 872 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C TR | IC DRAM 32GBIT 1866MHZ FBGA | 869 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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S99-50259 | IC FLASH | 851 주문에 대해 자세히 알아보기 |
| 재고 | 10830 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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|---|---|---|
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