참고용
부품 번호: | 70V06S45J |
상표: | Renesas Electronics America |
라이프사이클: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
범주: | 집적 회로 |
하위 카테고리: | 메모리 |
제조사: | Renesas Electronics America |
시리즈: | - |
패키지: | Tube |
부품 상태: | Obsolete |
메모리 유형: | Volatile |
메모리 형식: | SRAM |
기술: | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
메모리 크기: | 128Kb (16K x 8) |
메모리 인터페이스: | Parallel |
클록 주파수: | - |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | 45ns |
액세스 시간: | 45 ns |
전압 - 공급: | 3V ~ 3.6V |
작동 온도: | 0°C ~ 70°C (TA) |
장착 유형: | Surface Mount |
패키지/케이스: | 68-LCC (J-Lead) |
공급자 장치 패키지: | 68-PLCC (24.21x24.21) |
MT29F512G08CMCABH7-6:A TR | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | 975 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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M29F400BT70M1 | IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO | 829 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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70V9199L7PFI8 | IC SRAM 1.125MBIT PAR 100TQFP | 948 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT29F128G08EBEBBB95A3WC1-M | IC FLASH 128GBIT PARALLEL | 853 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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EDF4432ACPE-GD-F-D | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 800MHZ | 948 주문에 대해 자세히 알아보기 |
재고 | 10979 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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견적 한도 | 제한 없음 |
리드타임 | 확인 예정 |
최저한의 | 1 |
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