참고용
| 부품 번호: | EDB8164B4PK-1D-F-D |
| 상표: | Micron Technology |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 집적 회로 |
| 하위 카테고리: | 메모리 |
| 제조사: | Micron Technology |
| 시리즈: | - |
| 패키지: | Bulk |
| 부품 상태: | Active |
| 메모리 유형: | Volatile |
| 메모리 형식: | DRAM |
| 기술: | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
| 메모리 크기: | 8Gb (128M x 64) |
| 메모리 인터페이스: | Parallel |
| 클록 주파수: | 533 MHz |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | - |
| 액세스 시간: | - |
| 전압 - 공급: | 1.14V ~ 1.95V |
| 작동 온도: | -30°C ~ 85°C (TC) |
| 장착 유형: | Surface Mount |
| 패키지/케이스: | 220-WFBGA |
| 공급자 장치 패키지: | 220-FBGA (14x14) |
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MTFC128GAPALBH-AAT | IC FLASH 1TB MMC | 978 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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27C256-25/SO277 | 256K (32K X 8) CMOS EPROM | 2038 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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AS4C512M8D4-83BIN | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | 1074 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CAT64LC40YI-G | IC EEPROM 4KBIT SPI 1MHZ 8TSSOP | 8598 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MD2764A-35/B | MD2764A-35/B | 936 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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M30082040054X0PSAY | IC RAM 8MBIT 54MHZ 8SOIC | 908 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT29F4G08ABBFAH4-AITES:F TR | IC FLASH NAND 4G PAR 63VFBGA | 967 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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S34MS04G100BHI000Z | 4 GB ECC, 1.8V SLC NAND FLASH | 41417 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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R1LP0408CSB-7UI#D0 | STANDARD SRAM, 512KX8, 70NS | 6798 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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HD63310RP20 | MULTI-PORT SRAM, 1KX8, 200NS | 2471 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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EDB4432BBBJ-1D-F-R | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA | 802 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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S29AL016J70TAI020A | PARALLEL NOR FLASH, 1MKX16, 70NS | 1354 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CG6059AT | SPECIAL | 942 주문에 대해 자세히 알아보기 |
| 재고 | 10997 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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