참고용
| 부품 번호: | 6116LA150TDB |
| 상표: | Renesas Electronics America |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 집적 회로 |
| 하위 카테고리: | 메모리 |
| 제조사: | Renesas Electronics America |
| 시리즈: | - |
| 패키지: | Tray |
| 부품 상태: | Active |
| 메모리 유형: | Volatile |
| 메모리 형식: | SRAM |
| 기술: | SRAM - Asynchronous |
| 메모리 크기: | 16Kb (2K x 8) |
| 메모리 인터페이스: | Parallel |
| 클록 주파수: | - |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | 150ns |
| 액세스 시간: | 150 ns |
| 전압 - 공급: | 4.5V ~ 5.5V |
| 작동 온도: | -55°C ~ 125°C (TA) |
| 장착 유형: | Through Hole |
| 패키지/케이스: | 24-CDIP (0.300", 7.62mm) |
| 공급자 장치 패키지: | 24-CDIP |
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AM27S33/BYA | IC PROM 4KBIT PAR 18CFLATPACK | 1482 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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S29GL01GT11TFIV33 | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP | 997 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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5962-9161704MXA | IC SRAM 128KBIT PARALLEL 84PGA | 919 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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R1EX24064ATAS0A#RS | EEPROM, 8KX8, SERIAL | 24835 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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GVT1256G18T-5T | STANDARD SRAM, 256KX18 | 19127 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CAV24C512HU5EGT3 | IC EEPROM 512KBIT I2C 1MHZ 8UDFN | 964 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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HN58X2508TIAG#S0 | SPI 8K EEPROM (1024 X 8-BIT) | 3895 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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PF28F1604C3BD70 | MEMORY CIRCUIT, 2MX16, CMOS, PBG | 6179 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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70P249L65BYGI | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100CABGA | 955 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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R1LP0408CSC-5SI#D0 | STANDARD SRAM, 512KX8, 55NS | 16499 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CY7C1380D-167AXCB | 18-MBIT (512K X 36/1M X 18) SRAM | 1227 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MTFC16GAKAEEF-AAT TR | IC FLASH 128GBIT MMC 169TFBGA | 813 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CDAC374M96 | CDAC374M96 | 896 주문에 대해 자세히 알아보기 |
| 재고 | 10885 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $16.53300 | $16.533 |
| 300 | $14.52245 | $4356.735 |
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