참고용
| 부품 번호: | 6116SA150TDB |
| 상표: | Renesas Electronics America |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 집적 회로 |
| 하위 카테고리: | 메모리 |
| 제조사: | Renesas Electronics America |
| 시리즈: | - |
| 패키지: | Tray |
| 부품 상태: | Active |
| 메모리 유형: | Volatile |
| 메모리 형식: | SRAM |
| 기술: | SRAM - Asynchronous |
| 메모리 크기: | 16Kb (2K x 8) |
| 메모리 인터페이스: | Parallel |
| 클록 주파수: | - |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | 150ns |
| 액세스 시간: | 150 ns |
| 전압 - 공급: | 4.5V ~ 5.5V |
| 작동 온도: | -55°C ~ 125°C (TA) |
| 장착 유형: | Through Hole |
| 패키지/케이스: | 24-CDIP (0.300", 7.62mm) |
| 공급자 장치 패키지: | 24-CDIP |
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CYM1846V33PM-25C | SRAM MODULE, 512KX32, 25NS | 1124 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CY7C12501KV 18-400BZXC | DDR SRAM, 1MX36, 0.45NS | 1076 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CY7C1380D-167AXCKJ | SYNC RAM | 1609 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CAT34C02VP2I-26713-GT4 | IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8TDFN | 2232 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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70V657S12DRGI | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | 919 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT44K64M18RB-083F:A | IC RLDRAM 1.125GBIT PAR 168BGA | 982 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|
7005S35GB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 68PGA | 961 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|
EM6AA160TSE-4IG | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | 931 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|
MT29VZZZAD8FQFSL-046 W.G8K | ALL IN ONE MCP 544G | 992 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|
5962-8976401MXA | IC SRAM 32KBIT PARALLEL SB48 | 886 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|
N24S64C4DYT3G | IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 4WLCSP | 997 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT29F8G01ADBFD12-AAT:F TR | IC FLASH 8GBIT SPI 83MHZ 24TPBGA | 866 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D TR | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA | 842 주문에 대해 자세히 알아보기 |
| 재고 | 10867 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $16.53300 | $16.533 |
| 300 | $14.52245 | $4356.735 |
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