TH58BYG3S0HBAI6

TH58BYG3S0HBAI6
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부품 번호 TH58BYG3S0HBAI6
LIXINC Part # TH58BYG3S0HBAI6
제조사 Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
범주 집적 회로메모리
설명 IC FLASH 8GBIT 67VFBGA
라이프사이클 활동적인
RoHS RoHS 정보 없음
EDA/CAD 모델 TH58BYG3S0HBAI6 PCB 풋프린트 및 기호
창고 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR
예상 배달 시간 Oct 07 - Oct 11 2024(빠른 배송 선택)
보증 최대 1년 [제한 보증]*
지불 Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
배송 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

TH58BYG3S0HBAI6 명세서

부품 번호:TH58BYG3S0HBAI6
상표:Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
라이프사이클:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
범주:집적 회로
하위 카테고리:메모리
제조사:Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
시리즈:Benand™
패키지:Tray
부품 상태:Active
메모리 유형:Non-Volatile
메모리 형식:FLASH
기술:FLASH - NAND (SLC)
메모리 크기:8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스:-
클록 주파수:-
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:25ns
액세스 시간:-
전압 - 공급:1.7V ~ 1.95V
작동 온도:-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형:Surface Mount
패키지/케이스:67-VFBGA
공급자 장치 패키지:67-VFBGA (6.5x8)

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