참고용
| 부품 번호: | NAND256W3A2BN6E |
| 상표: | Micron Technology |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 집적 회로 |
| 하위 카테고리: | 메모리 |
| 제조사: | Micron Technology |
| 시리즈: | - |
| 패키지: | Tray |
| 부품 상태: | Obsolete |
| 메모리 유형: | Non-Volatile |
| 메모리 형식: | FLASH |
| 기술: | FLASH - NAND |
| 메모리 크기: | 256Mb (32M x 8) |
| 메모리 인터페이스: | Parallel |
| 클록 주파수: | - |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | 50ns |
| 액세스 시간: | 50 ns |
| 전압 - 공급: | 2.7V ~ 3.6V |
| 작동 온도: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 장착 유형: | Surface Mount |
| 패키지/케이스: | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| 공급자 장치 패키지: | 48-TSOP |
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NM27C020V120 | IC EPROM 2MBIT PARALLEL 32PLCC | 997 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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U6264BS2C07LLG1TR | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOP | 805 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT29F128G08CEHGBJ4-3RES:G TR | IC FLSH 128GBIT PARALLEL 132VBGA | 993 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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M36DR432AD10ZA6T | IC FLASH 32MBIT PARALLEL 66LFBGA | 977 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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7008L15PF | IC SRAM 512KBIT PARALLEL 100TQFP | 816 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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70V3579S6DR | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | 907 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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7133SA55PF8 | IC SRAM 32KBIT PARALLEL 100TQFP | 858 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IS42S16100C1-7BI | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA | 872 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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AS6C4016A-45BINTR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA | 818 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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S-93L66AR0I-J8T1G | IC EEPROM 4KBIT SPI 2MHZ 8SOP | 985 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IS42S16160B-7TLI | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | 842 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT29F16G08MAAWP:A TR | IC FLSH 16GBIT PARALLEL 48TSOP I | 805 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT53E768M32D4DT-046 WT:E TR | IC DRAM 24GBIT 2.133GHZ 200VFBGA | 962 주문에 대해 자세히 알아보기 |
| 재고 | 10887 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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