FS50R07N2E4BOSA1

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부품 번호 FS50R07N2E4BOSA1
LIXINC Part # FS50R07N2E4BOSA1
제조사 IR (Infineon Technologies)
범주 이산 반도체트랜지스터 - igbts - 모듈
설명 IGBT MODULE 650V 70A 190W
라이프사이클 활동적인
RoHS RoHS 정보 없음
EDA/CAD 모델 FS50R07N2E4BOSA1 PCB 풋프린트 및 기호
창고 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR
예상 배달 시간 Sep 22 - Sep 26 2024(빠른 배송 선택)
보증 최대 1년 [제한 보증]*
지불 Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
배송 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FS50R07N2E4BOSA1 명세서

부품 번호:FS50R07N2E4BOSA1
상표:IR (Infineon Technologies)
라이프사이클:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
범주:이산 반도체
하위 카테고리:트랜지스터 - igbts - 모듈
제조사:IR (Infineon Technologies)
시리즈:-
패키지:Tray
부품 상태:Obsolete
igbt 유형:-
구성:Full Bridge Inverter
전압 - 컬렉터 이미 터 고장(최대):650 V
전류 - 컬렉터(ic)(최대):70 A
전력 - 최대:190 W
vce(on) (최대) @ vge, ic:1.95V @ 15V, 50A
전류 - 컬렉터 컷오프(최대):1 mA
입력 커패시턴스(cies) @ vce:3.1 nF @ 25 V
입력:Standard
NTC 서미스터:Yes
작동 온도:-40°C ~ 125°C
장착 유형:Chassis Mount
패키지/케이스:Module
공급자 장치 패키지:Module

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