참고용
| 부품 번호 | SI5515DC-T1-E3 |
| LIXINC Part # | SI5515DC-T1-E3 |
| 제조사 | Vishay / Siliconix |
| 범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - 펫, 모스펫 - 어레이 |
| 설명 | MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8 |
| 라이프사이클 | 활동적인 |
| RoHS | RoHS 정보 없음 |
| EDA/CAD 모델 | SI5515DC-T1-E3 PCB 풋프린트 및 기호 |
| 창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
| 예상 배달 시간 | Sep 26 - Sep 30 2024(빠른 배송 선택) |
| 보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
| 지불 | 
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| 배송 |  |
| 부품 번호: | SI5515DC-T1-E3 |
| 상표: | Vishay / Siliconix |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 이산 반도체 |
| 하위 카테고리: | 트랜지스터 - 펫, 모스펫 - 어레이 |
| 제조사: | Vishay / Siliconix |
| 시리즈: | TrenchFET® |
| 패키지: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 부품 상태: | Obsolete |
| 페트 유형: | N and P-Channel |
| fet 기능: | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압(vdss): | 20V |
| 전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c: | 4.4A, 3A |
| rds on(최대) @ id, vgs: | 40mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| vgs(일)(최대) @ id: | 1V @ 250µA |
| 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs: | 7.5nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds: | - |
| 전력 - 최대: | 1.1W |
| 작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형: | Surface Mount |
| 패키지/케이스: | 8-SMD, Flat Lead |
| 공급자 장치 패키지: | 1206-8 ChipFET™ |
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| 재고 | 10837 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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