참고용
부품 번호 | EPC2030ENGRT |
LIXINC Part # | EPC2030ENGRT |
제조사 | EPC |
범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
설명 | GANFET NCH 40V 31A DIE |
라이프사이클 | 활동적인 |
RoHS | RoHS 정보 없음 |
EDA/CAD 모델 | EPC2030ENGRT PCB 풋프린트 및 기호 |
창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
예상 배달 시간 | Jul 07 - Jul 11 2024(빠른 배송 선택) |
보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
지불 | |
배송 |
부품 번호: | EPC2030ENGRT |
상표: | EPC |
라이프사이클: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
범주: | 이산 반도체 |
하위 카테고리: | 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
제조사: | EPC |
시리즈: | eGaN® |
패키지: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
부품 상태: | Discontinued at Digi-Key |
페트 유형: | N-Channel |
기술: | GaNFET (Gallium Nitride) |
드레인-소스 전압(vdss): | 40 V |
전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c: | 31A (Ta) |
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐): | 5V |
rds on(최대) @ id, vgs: | 2.4mOhm @ 30A, 5V |
vgs(일)(최대) @ id: | 2.5V @ 16mA |
게이트 전하(qg)(최대) @ vgs: | 18 nC @ 5 V |
vgs(최대): | +6V, -4V |
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds: | 1900 pF @ 20 V |
fet 기능: | - |
전력 손실(최대): | - |
작동 온도: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
장착 유형: | Surface Mount |
공급자 장치 패키지: | Die |
패키지/케이스: | Die |
PHT8N06LT,135 | MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223 | 958 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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HAT2197R-EL-E | MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP | 851 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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STB12NM60N-1 | MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK | 919 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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SUM110N04-2M3L-E3 | MOSFET N-CH 40V 110A TO263 | 945 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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FDB075N15A_SN00284 | MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK | 844 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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SPW11N60S5FKSA1 | MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3 | 817 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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NDD02N40T4G | MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK | 832 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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AON7202 | MOSFET N-CH 30V 20A/40A 8DFN | 899 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IXTQ160N075T | MOSFET N-CH 75V 160A TO3P | 982 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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HUFA75337P3 | MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3 | 913 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IPP80N06S2L09AKSA1 | MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 | 942 주문에 대해 자세히 알아보기 |
재고 | 10843 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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견적 한도 | 제한 없음 |
리드타임 | 확인 예정 |
최저한의 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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