참고용
| 부품 번호: | CAV25040YE-GT3 |
| 상표: | Rochester Electronics |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 집적 회로 |
| 하위 카테고리: | 메모리 |
| 제조사: | Rochester Electronics |
| 시리즈: | Automotive, AEC-Q100 |
| 패키지: | Bulk |
| 부품 상태: | Active |
| 메모리 유형: | Non-Volatile |
| 메모리 형식: | EEPROM |
| 기술: | EEPROM |
| 메모리 크기: | 4Kb (512 x 8) |
| 메모리 인터페이스: | SPI |
| 클록 주파수: | 10 MHz |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | 5ms |
| 액세스 시간: | - |
| 전압 - 공급: | 2.5V ~ 5.5V |
| 작동 온도: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| 장착 유형: | Surface Mount |
| 패키지/케이스: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| 공급자 장치 패키지: | 8-TSSOP |
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CY7C109BNL-15VCT | SRAM 1M-BIT 128K X 8 15NS | 1700 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IS61QDP2B22M36A-333M3L | IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA | 843 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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NM24C65ULEM8 | IC EEPROM 64KBIT I2C 8SOIC | 894 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CY7C2265XV18-633BZXC | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA | 1241 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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S29GL256P90FFSS70 | IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64FBGA | 969 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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AS4C64M16D2B-25BCNTR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | 917 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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70V3579S4BCG | IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA | 988 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IS42SM32200M-75BLI-TR | IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA | 868 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT29F1G08ABAFAWP-AATES:F | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I | 893 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
W25Q16JLZPIG TR | IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8WSON | 925 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
TC58BVG1S3HTAI0 | IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I | 1003 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
70V9199L7PFG8 | IC SRAM 1.125MBIT PAR 100TQFP | 887 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
NV24C04MUW3VLTBG | IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8UDFN | 996 주문에 대해 자세히 알아보기 |
| 재고 | 35933 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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| 3000 | $0.34000 | $1020 |
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