참고용
부품 번호: | CY7C1370DV25-200BZC |
상표: | Rochester Electronics |
라이프사이클: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
범주: | 집적 회로 |
하위 카테고리: | 메모리 |
제조사: | Rochester Electronics |
시리즈: | NoBL™ |
패키지: | Tray |
부품 상태: | Obsolete |
메모리 유형: | Volatile |
메모리 형식: | SRAM |
기술: | SRAM - Synchronous, SDR |
메모리 크기: | 18Mb (512K x 36) |
메모리 인터페이스: | Parallel |
클록 주파수: | 200 MHz |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | - |
액세스 시간: | 3 ns |
전압 - 공급: | 2.375V ~ 2.625V |
작동 온도: | 0°C ~ 70°C (TA) |
장착 유형: | Surface Mount |
패키지/케이스: | 165-LBGA |
공급자 장치 패키지: | 165-FBGA (13x15) |
CAT25C128X | IC EEPROM 128KBIT SPI 5MHZ 8SOIC | 809 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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재고 | 11205 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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견적 한도 | 제한 없음 |
리드타임 | 확인 예정 |
최저한의 | 1 |
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