참고용
| 부품 번호: | S29GL512S10FHI013 |
| 상표: | Rochester Electronics |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 집적 회로 |
| 하위 카테고리: | 메모리 |
| 제조사: | Rochester Electronics |
| 시리즈: | GL-S |
| 패키지: | Bulk |
| 부품 상태: | Active |
| 메모리 유형: | Non-Volatile |
| 메모리 형식: | FLASH |
| 기술: | FLASH - NOR |
| 메모리 크기: | 512Mb (32M x 16) |
| 메모리 인터페이스: | Parallel |
| 클록 주파수: | - |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | 60ns |
| 액세스 시간: | 100 ns |
| 전압 - 공급: | 2.7V ~ 3.6V |
| 작동 온도: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 장착 유형: | Surface Mount |
| 패키지/케이스: | 64-LBGA |
| 공급자 장치 패키지: | 64-Fortified BGA (13x11) |
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24FC256-I/ST | IC EEPROM 256KBIT I2C 8TSSOP | 831 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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AS6C1008-55TINL | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I | 991 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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6116LA20SO | SRAM 16K (2K X 8-BIT) | 1228 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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GS832018AGT-250I | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 100TQFP | 822 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT58L64L18DT-10 | CACHE SRAM, 64KX18, 5NS PQFP100 | 5936 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT29F128G08CBECBH6-12M:C TR | IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA | 814 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MR2A08ACMA35 | IC RAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA | 1799 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IS42S32160F-7BL | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA | 935 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CY7C1265KV18-550BZC | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA | 1141 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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GS8640Z36GT-300I | IC SRAM 72MBIT PARALLEL 100TQFP | 845 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IS61NLF12836A-7.5TQLI | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP | 818 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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HN58V256ATI12E | 256K SERIAL EEPROM | 1277 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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11LC020T-E/SN | IC EEPROM 2KBIT SGL WIRE 8SOIC | 905 주문에 대해 자세히 알아보기 |
| 재고 | 10892 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
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| 1600 | $5.95350 | $9525.6 |
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