참고용
| 부품 번호: | 7164S35DB |
| 상표: | Rochester Electronics |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 집적 회로 |
| 하위 카테고리: | 메모리 |
| 제조사: | Rochester Electronics |
| 시리즈: | - |
| 패키지: | Bulk |
| 부품 상태: | Active |
| 메모리 유형: | Volatile |
| 메모리 형식: | SRAM |
| 기술: | SRAM - Asynchronous |
| 메모리 크기: | 64Kb (8K x 8) |
| 메모리 인터페이스: | Parallel |
| 클록 주파수: | - |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | 35ns |
| 액세스 시간: | 35 ns |
| 전압 - 공급: | 4.5V ~ 5.5V |
| 작동 온도: | -55°C ~ 125°C (TA) |
| 장착 유형: | Through Hole |
| 패키지/케이스: | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) |
| 공급자 장치 패키지: | 28-CerDip |
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S29GL512T11TFIV30 | IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP | 881 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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SST26WF080BAT-104I/NP | IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8USON | 995 주문에 대해 자세히 알아보기 |
| 재고 | 10929 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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| 169 | $16.78000 | $2835.82 |
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