참고용
부품 번호: | 7164S55DB |
상표: | Renesas Electronics America |
라이프사이클: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
범주: | 집적 회로 |
하위 카테고리: | 메모리 |
제조사: | Renesas Electronics America |
시리즈: | - |
패키지: | Tube |
부품 상태: | Active |
메모리 유형: | Volatile |
메모리 형식: | SRAM |
기술: | SRAM - Asynchronous |
메모리 크기: | 64Kb (8K x 8) |
메모리 인터페이스: | Parallel |
클록 주파수: | - |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | 55ns |
액세스 시간: | 55 ns |
전압 - 공급: | 4.5V ~ 5.5V |
작동 온도: | -55°C ~ 125°C (TA) |
장착 유형: | Through Hole |
패키지/케이스: | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) |
공급자 장치 패키지: | 28-CerDip |
MT29F128G08CBCEBJ4-37ITR:E TR | IC FLASH 128GBIT PAR 132VBGA | 807 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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25LC080D-H/SN | IC EEPROM 8KBIT SPI 5MHZ 8SOIC | 899 주문에 대해 자세히 알아보기 |
재고 | 10975 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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견적 한도 | 제한 없음 |
리드타임 | 확인 예정 |
최저한의 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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169 | $20.29852 | $3430.44988 |
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