참고용
| 부품 번호: | S34ML01G204TFA010 |
| 상표: | Rochester Electronics |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 집적 회로 |
| 하위 카테고리: | 메모리 |
| 제조사: | Rochester Electronics |
| 시리즈: | Automotive, AEC-Q100, ML-2 |
| 패키지: | Tray |
| 부품 상태: | Obsolete |
| 메모리 유형: | Non-Volatile |
| 메모리 형식: | FLASH |
| 기술: | FLASH - NAND (SLC) |
| 메모리 크기: | 1Gb (128M x 8) |
| 메모리 인터페이스: | Parallel |
| 클록 주파수: | - |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | 25ns |
| 액세스 시간: | 25 ns |
| 전압 - 공급: | 2.7V ~ 3.6V |
| 작동 온도: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 장착 유형: | Surface Mount |
| 패키지/케이스: | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| 공급자 장치 패키지: | 48-TSOP I |
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IS42S32160F-7TLI | IC DRAM 512MBIT PAR 86TSOP II | 1015 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CY14V116G7-BZ30XIT | IC NVSRAM 16MBIT PAR 165FBGA | 965 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CY7C1518KV18-250BZI | DDR SRAM, 4MX18, 0.45NS PBGA165 | 967 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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AS4C16M16MD1-6BCN | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FPBGA | 1414 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CY14B101Q3-SFXI8 | NON-VOLATILE SRAM | 2964 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IS46DR16640C-25DBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | 982 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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DS1245Y-100 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | 3083 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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S29GL512S11DHB020 | IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA | 4673 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
MB85R4002ANC-GE1 | IC FRAM 4MBIT PARALLEL 48TSOP | 946 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IS43DR16320E-25DBL | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA | 857 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
S71KL256SC0BHB003 | IC FLASH RAM 256MBIT PAR 24FBGA | 838 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IS42SM32160E-75BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA | 992 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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71T75802S133PFGI | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP | 841 주문에 대해 자세히 알아보기 |
| 재고 | 10985 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $4.18000 | $4.18 |
| 10 | $3.81267 | $38.1267 |
| 25 | $3.73980 | $93.495 |
| 96 | $3.71416 | $356.55936 |
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