CY7C1321KV18-250BZC

CY7C1321KV18-250BZC
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부품 번호 CY7C1321KV18-250BZC
LIXINC Part # CY7C1321KV18-250BZC
제조사 Rochester Electronics
범주 집적 회로메모리
설명 DDR SRAM, 512KX36, 0.45NS, CMOS,
라이프사이클 활동적인
RoHS RoHS 정보 없음
EDA/CAD 모델 CY7C1321KV18-250BZC PCB 풋프린트 및 기호
창고 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR
예상 배달 시간 Oct 21 - Oct 25 2024(빠른 배송 선택)
보증 최대 1년 [제한 보증]*
지불 Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
배송 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

CY7C1321KV18-250BZC 명세서

부품 번호:CY7C1321KV18-250BZC
상표:Rochester Electronics
라이프사이클:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
범주:집적 회로
하위 카테고리:메모리
제조사:Rochester Electronics
시리즈:-
패키지:Bulk
부품 상태:Active
메모리 유형:Volatile
메모리 형식:SRAM
기술:SRAM - Synchronous, DDR II
메모리 크기:18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스:Parallel
클록 주파수:250 MHz
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:-
액세스 시간:-
전압 - 공급:1.7V ~ 1.9V
작동 온도:0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형:Surface Mount
패키지/케이스:165-LBGA
공급자 장치 패키지:165-FBGA (13x15)

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