참고용
부품 번호 | TC58BYG2S0HBAI6 |
LIXINC Part # | TC58BYG2S0HBAI6 |
제조사 | Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) |
범주 | 집적 회로 › 메모리 |
설명 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA |
라이프사이클 | 활동적인 |
RoHS | RoHS 정보 없음 |
EDA/CAD 모델 | TC58BYG2S0HBAI6 PCB 풋프린트 및 기호 |
창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
예상 배달 시간 | Oct 20 - Oct 24 2024(빠른 배송 선택) |
보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
지불 | |
배송 |
부품 번호: | TC58BYG2S0HBAI6 |
상표: | Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) |
라이프사이클: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
범주: | 집적 회로 |
하위 카테고리: | 메모리 |
제조사: | Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) |
시리즈: | Benand™ |
패키지: | Tray |
부품 상태: | Active |
메모리 유형: | Non-Volatile |
메모리 형식: | FLASH |
기술: | FLASH - NAND (SLC) |
메모리 크기: | 4Gb (512M x 8) |
메모리 인터페이스: | Parallel |
클록 주파수: | - |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | 25ns |
액세스 시간: | 25 ns |
전압 - 공급: | 1.7V ~ 1.95V |
작동 온도: | -40°C ~ 85°C (TA) |
장착 유형: | Surface Mount |
패키지/케이스: | 67-VFBGA |
공급자 장치 패키지: | 67-VFBGA (6.5x8) |
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재고 | 11279 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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견적 한도 | 제한 없음 |
리드타임 | 확인 예정 |
최저한의 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $4.74000 | $4.74 |
10 | $4.30636 | $43.0636 |
25 | $4.21260 | $105.315 |
50 | $4.18900 | $209.45 |
100 | $3.75692 | $375.692 |
338 | $3.74285 | $1265.0833 |
676 | $3.60502 | $2436.99352 |
1014 | $3.42745 | $3475.4343 |
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