참고용
부품 번호: | 71V35761SA200BQG |
상표: | Renesas Electronics America |
라이프사이클: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
범주: | 집적 회로 |
하위 카테고리: | 메모리 |
제조사: | Renesas Electronics America |
시리즈: | - |
패키지: | Tray |
부품 상태: | Active |
메모리 유형: | Volatile |
메모리 형식: | SRAM |
기술: | SRAM - Synchronous, SDR |
메모리 크기: | 4.5Mb (128K x 36) |
메모리 인터페이스: | Parallel |
클록 주파수: | 200 MHz |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | - |
액세스 시간: | 3.1 ns |
전압 - 공급: | 3.135V ~ 3.465V |
작동 온도: | 0°C ~ 70°C (TA) |
장착 유형: | Surface Mount |
패키지/케이스: | 165-TBGA |
공급자 장치 패키지: | 165-CABGA (13x15) |
MT28EW128ABA1LPC-1SIT | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64LBGA | 906 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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24LC01BHT-I/LT | IC EEPROM 1KBIT I2C SC70-5 | 967 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IS64WV102416BLL-10CTLA3 | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I | 872 주문에 대해 자세히 알아보기 |
재고 | 10989 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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견적 한도 | 제한 없음 |
리드타임 | 확인 예정 |
최저한의 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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