MB85R256FPFCN-G-BNDE1

MB85R256FPFCN-G-BNDE1
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부품 번호 MB85R256FPFCN-G-BNDE1
LIXINC Part # MB85R256FPFCN-G-BNDE1
제조사 Fujitsu Electronics America, Inc.
범주 집적 회로메모리
설명 IC FRAM 256KBIT PAR 28TSOP I
라이프사이클 활동적인
RoHS RoHS 정보 없음
EDA/CAD 모델 MB85R256FPFCN-G-BNDE1 PCB 풋프린트 및 기호
창고 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR
예상 배달 시간 Oct 27 - Oct 31 2024(빠른 배송 선택)
보증 최대 1년 [제한 보증]*
지불 Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
배송 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MB85R256FPFCN-G-BNDE1 명세서

부품 번호:MB85R256FPFCN-G-BNDE1
상표:Fujitsu Electronics America, Inc.
라이프사이클:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
범주:집적 회로
하위 카테고리:메모리
제조사:Fujitsu Electronics America, Inc.
시리즈:-
패키지:Tray
부품 상태:Active
메모리 유형:Non-Volatile
메모리 형식:FRAM
기술:FRAM (Ferroelectric RAM)
메모리 크기:256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스:Parallel
클록 주파수:-
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:150ns
액세스 시간:150 ns
전압 - 공급:2.7V ~ 3.6V
작동 온도:-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형:Surface Mount
패키지/케이스:28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
공급자 장치 패키지:28-TSOP I

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