참고용
부품 번호: | CY14B108L-BA25XI |
상표: | Cypress Semiconductor |
라이프사이클: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
범주: | 집적 회로 |
하위 카테고리: | 메모리 |
제조사: | Cypress Semiconductor |
시리즈: | - |
패키지: | Tray |
부품 상태: | Active |
메모리 유형: | Non-Volatile |
메모리 형식: | NVSRAM |
기술: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
메모리 크기: | 8Mb (1M x 8) |
메모리 인터페이스: | Parallel |
클록 주파수: | - |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | 25ns |
액세스 시간: | 25 ns |
전압 - 공급: | 2.7V ~ 3.6V |
작동 온도: | -40°C ~ 85°C (TA) |
장착 유형: | Surface Mount |
패키지/케이스: | 48-TFBGA |
공급자 장치 패키지: | 48-FBGA (6x10) |
MT47H32M16NF-25E IT:H TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | 869 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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재고 | 10936 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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견적 한도 | 제한 없음 |
리드타임 | 확인 예정 |
최저한의 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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