참고용
| 부품 번호: | CY14B104N-BA45XI |
| 상표: | Rochester Electronics |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 집적 회로 |
| 하위 카테고리: | 메모리 |
| 제조사: | Rochester Electronics |
| 시리즈: | - |
| 패키지: | Tube |
| 부품 상태: | Obsolete |
| 메모리 유형: | Non-Volatile |
| 메모리 형식: | NVSRAM |
| 기술: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| 메모리 크기: | 4Mb (256K x 16) |
| 메모리 인터페이스: | Parallel |
| 클록 주파수: | - |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | 45ns |
| 액세스 시간: | 45 ns |
| 전압 - 공급: | 2.7V ~ 3.6V |
| 작동 온도: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 장착 유형: | Surface Mount |
| 패키지/케이스: | 48-TFBGA |
| 공급자 장치 패키지: | 48-FBGA (6x10) |
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| 재고 | 11198 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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