참고용
부품 번호 | FS100R07N2E4B11BOSA1 |
LIXINC Part # | FS100R07N2E4B11BOSA1 |
제조사 | IR (Infineon Technologies) |
범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - igbts - 모듈 |
설명 | IGBT MOD 650V 125A 20MW |
라이프사이클 | 활동적인 |
RoHS | RoHS 정보 없음 |
EDA/CAD 모델 | FS100R07N2E4B11BOSA1 PCB 풋프린트 및 기호 |
창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
예상 배달 시간 | Oct 07 - Oct 11 2024(빠른 배송 선택) |
보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
지불 | |
배송 |
부품 번호: | FS100R07N2E4B11BOSA1 |
상표: | IR (Infineon Technologies) |
라이프사이클: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
범주: | 이산 반도체 |
하위 카테고리: | 트랜지스터 - igbts - 모듈 |
제조사: | IR (Infineon Technologies) |
시리즈: | - |
패키지: | Bulk |
부품 상태: | Active |
igbt 유형: | Trench Field Stop |
구성: | Three Phase Inverter |
전압 - 컬렉터 이미 터 고장(최대): | 650 V |
전류 - 컬렉터(ic)(최대): | 125 A |
전력 - 최대: | 20 mW |
vce(on) (최대) @ vge, ic: | 1.95V @ 15V, 100A |
전류 - 컬렉터 컷오프(최대): | 1 mA |
입력 커패시턴스(cies) @ vce: | 6.2 nF @ 25 V |
입력: | Standard |
NTC 서미스터: | Yes |
작동 온도: | -40°C ~ 150°C |
장착 유형: | Chassis Mount |
패키지/케이스: | Module |
공급자 장치 패키지: | Module |
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재고 | 10803 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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견적 한도 | 제한 없음 |
리드타임 | 확인 예정 |
최저한의 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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30 | $104.52733 | $3135.8199 |
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