NSBC115EPDXV6T1G

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부품 번호 NSBC115EPDXV6T1G
LIXINC Part # NSBC115EPDXV6T1G
제조사 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
범주 이산 반도체트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - 어레이, 사전 바이어스
설명 SS SOT563 RSTR XSTR TR
라이프사이클 활동적인
RoHS RoHS 정보 없음
EDA/CAD 모델 NSBC115EPDXV6T1G PCB 풋프린트 및 기호
창고 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR
예상 배달 시간 Oct 10 - Oct 14 2024(빠른 배송 선택)
보증 최대 1년 [제한 보증]*
지불 Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
배송 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NSBC115EPDXV6T1G 명세서

부품 번호:NSBC115EPDXV6T1G
상표:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
라이프사이클:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
범주:이산 반도체
하위 카테고리:트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - 어레이, 사전 바이어스
제조사:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
시리즈:Automotive, AEC-Q101
패키지:Tape & Reel (TR)
부품 상태:Active
트랜지스터 유형:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류 - 컬렉터(ic)(최대):100mA
전압 - 컬렉터 이미 터 고장(최대):50V
저항기 - 베이스(r1):100kOhms
저항 - 이미 터베이스 (r2):100kOhms
dc 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce:80 @ 5mA, 10V
vce 포화(최대) @ ib, ic:250mV @ 300µA, 10mA
전류 - 컬렉터 컷오프(최대):500nA
주파수 - 전환:-
전력 - 최대:357mW
장착 유형:Surface Mount
패키지/케이스:SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지:SOT-563

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