참고용
부품 번호 | RN2706JE(TE85L,F) |
LIXINC Part # | RN2706JE(TE85L,F) |
제조사 | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - 어레이, 사전 바이어스 |
설명 | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV |
라이프사이클 | 활동적인 |
RoHS | RoHS 정보 없음 |
EDA/CAD 모델 | RN2706JE(TE85L,F) PCB 풋프린트 및 기호 |
창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
예상 배달 시간 | Oct 09 - Oct 13 2024(빠른 배송 선택) |
보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
지불 | |
배송 |
부품 번호: | RN2706JE(TE85L,F) |
상표: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
라이프사이클: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
범주: | 이산 반도체 |
하위 카테고리: | 트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - 어레이, 사전 바이어스 |
제조사: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
시리즈: | - |
패키지: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
부품 상태: | Active |
트랜지스터 유형: | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
전류 - 컬렉터(ic)(최대): | 100mA |
전압 - 컬렉터 이미 터 고장(최대): | 50V |
저항기 - 베이스(r1): | 4.7kOhms |
저항 - 이미 터베이스 (r2): | 47kOhms |
dc 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce: | 80 @ 10mA, 5V |
vce 포화(최대) @ ib, ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
전류 - 컬렉터 컷오프(최대): | 100nA (ICBO) |
주파수 - 전환: | 200MHz |
전력 - 최대: | 100mW |
장착 유형: | Surface Mount |
패키지/케이스: | SOT-553 |
공급자 장치 패키지: | ESV |
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재고 | 10904 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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견적 한도 | 제한 없음 |
리드타임 | 확인 예정 |
최저한의 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.07632 | $0.07632 |
10 | $0.06895 | $0.6895 |
25 | $0.04958 | $1.2395 |
100 | $0.03858 | $3.858 |
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