RN1902FE,LF(CT | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation RN1902FE,LF(CT

RN1902FE,LF(CT

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참고용

부품 번호	RN1902FE,LF(CT
LIXINC Part #	RN1902FE,LF(CT
제조사	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
범주	이산 반도체 › 트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - 어레이, 사전 바이어스
설명	TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
라이프사이클	활동적인
RoHS	RoHS 정보 없음
EDA/CAD 모델	RN1902FE,LF(CT PCB 풋프린트 및 기호
창고	미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR
예상 배달 시간	Oct 09 - Oct 13 2024(빠른 배송 선택)
보증	최대 1년 [제한 보증]*
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RN1902FE,LF(CT 명세서

부품 번호:	RN1902FE,LF(CT
상표:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
라이프사이클:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
범주:	이산 반도체
하위 카테고리:	트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - 어레이, 사전 바이어스
제조사:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
시리즈:	-
패키지:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
부품 상태:	Active
트랜지스터 유형:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류 - 컬렉터(ic)(최대):	100mA
전압 - 컬렉터 이미 터 고장(최대):	50V
저항기 - 베이스(r1):	10kOhms
저항 - 이미 터베이스 (r2):	1kOhms
dc 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce:	30 @ 10mA, 5V
vce 포화(최대) @ ib, ic:	300mV @ 250µA, 5mA
전류 - 컬렉터 컷오프(최대):	100nA (ICBO)
주파수 - 전환:	250MHz
전력 - 최대:	100mW
장착 유형:	Surface Mount
패키지/케이스:	SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지:	ES6

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