RN1701JE(TE85L,F)

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참고용

부품 번호 RN1701JE(TE85L,F)
LIXINC Part # RN1701JE(TE85L,F)
제조사 Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
범주 이산 반도체트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - 어레이, 사전 바이어스
설명 TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
라이프사이클 활동적인
RoHS RoHS 정보 없음
EDA/CAD 모델 RN1701JE(TE85L,F) PCB 풋프린트 및 기호
창고 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR
예상 배달 시간 Oct 07 - Oct 11 2024(빠른 배송 선택)
보증 최대 1년 [제한 보증]*
지불 Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
배송 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

RN1701JE(TE85L,F) 명세서

부품 번호:RN1701JE(TE85L,F)
상표:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
라이프사이클:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
범주:이산 반도체
하위 카테고리:트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - 어레이, 사전 바이어스
제조사:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
시리즈:-
패키지:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
부품 상태:Active
트랜지스터 유형:2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
전류 - 컬렉터(ic)(최대):100mA
전압 - 컬렉터 이미 터 고장(최대):50V
저항기 - 베이스(r1):4.7kOhms
저항 - 이미 터베이스 (r2):4.7kOhms
dc 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce:30 @ 10mA, 5V
vce 포화(최대) @ ib, ic:300mV @ 250µA, 5mA
전류 - 컬렉터 컷오프(최대):100nA (ICBO)
주파수 - 전환:250MHz
전력 - 최대:100mW
장착 유형:Surface Mount
패키지/케이스:SOT-553
공급자 장치 패키지:ESV

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