참고용
부품 번호 | NSVMUN5211DW1T2G |
LIXINC Part # | NSVMUN5211DW1T2G |
제조사 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - 어레이, 사전 바이어스 |
설명 | TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88 |
라이프사이클 | 활동적인 |
RoHS | RoHS 정보 없음 |
EDA/CAD 모델 | NSVMUN5211DW1T2G PCB 풋프린트 및 기호 |
창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
예상 배달 시간 | Jul 05 - Jul 09 2024(빠른 배송 선택) |
보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
지불 | ![]() |
배송 | ![]() |
부품 번호: | NSVMUN5211DW1T2G |
상표: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
라이프사이클: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
범주: | 이산 반도체 |
하위 카테고리: | 트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - 어레이, 사전 바이어스 |
제조사: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
시리즈: | Automotive, AEC-Q101 |
패키지: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
부품 상태: | Active |
트랜지스터 유형: | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
전류 - 컬렉터(ic)(최대): | 100mA |
전압 - 컬렉터 이미 터 고장(최대): | 50V |
저항기 - 베이스(r1): | 10kOhms |
저항 - 이미 터베이스 (r2): | 10kOhms |
dc 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce: | 35 @ 5mA, 10V |
vce 포화(최대) @ ib, ic: | 250mV @ 300µA, 10mA |
전류 - 컬렉터 컷오프(최대): | 500nA |
주파수 - 전환: | - |
전력 - 최대: | 385mW |
장착 유형: | Surface Mount |
패키지/케이스: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
공급자 장치 패키지: | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
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재고 | 11176 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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견적 한도 | 제한 없음 |
리드타임 | 확인 예정 |
최저한의 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.41000 | $0.41 |
3000 | $0.10112 | $303.36 |
6000 | $0.09550 | $573 |
15000 | $0.08707 | $1306.05 |
30000 | $0.08145 | $2443.5 |
75000 | $0.07490 | $5617.5 |
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