참고용
| 부품 번호 | BZD27B8V2P-HE3-18 |
| LIXINC Part # | BZD27B8V2P-HE3-18 |
| 제조사 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| 범주 | 이산 반도체 › 다이오드 - 제너 - 단일 |
| 설명 | DIODE ZENER 8.2V 800MW DO219AB |
| 라이프사이클 | 활동적인 |
| RoHS | RoHS 정보 없음 |
| EDA/CAD 모델 | BZD27B8V2P-HE3-18 PCB 풋프린트 및 기호 |
| 창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
| 예상 배달 시간 | Sep 26 - Sep 30 2024(빠른 배송 선택) |
| 보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
| 지불 | 
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| 배송 |  |
| 부품 번호: | BZD27B8V2P-HE3-18 |
| 상표: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 이산 반도체 |
| 하위 카테고리: | 다이오드 - 제너 - 단일 |
| 제조사: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| 시리즈: | Automotive, AEC-Q101, BZD27B |
| 패키지: | Tape & Reel (TR) |
| 부품 상태: | Active |
| 전압 - 제너(공칭)(vz): | 8.2 V |
| 용인: | - |
| 전력 - 최대: | 800 mW |
| 임피던스(최대)(zzt): | 2 Ohms |
| 전류 - 역 누설 @ vr: | 10 µA @ 3 V |
| 전압 - 순방향(vf)(최대) @ if: | 1.2 V @ 200 mA |
| 작동 온도: | -65°C ~ 175°C |
| 장착 유형: | Surface Mount |
| 패키지/케이스: | DO-219AB |
| 공급자 장치 패키지: | DO-219AB (SMF) |
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| 재고 | 10871 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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