참고용
부품 번호 | A2T21H360-24SR6 |
LIXINC Part # | A2T21H360-24SR6 |
제조사 | NXP Semiconductors |
범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - fet, mosfets - rf |
설명 | IC TRANS RF LDMOS |
라이프사이클 | 활동적인 |
RoHS | RoHS 정보 없음 |
EDA/CAD 모델 | A2T21H360-24SR6 PCB 풋프린트 및 기호 |
창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
예상 배달 시간 | Oct 08 - Oct 12 2024(빠른 배송 선택) |
보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
지불 | |
배송 |
부품 번호: | A2T21H360-24SR6 |
상표: | NXP Semiconductors |
라이프사이클: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
범주: | 이산 반도체 |
하위 카테고리: | 트랜지스터 - fet, mosfets - rf |
제조사: | NXP Semiconductors |
시리즈: | - |
패키지: | Tape & Reel (TR) |
부품 상태: | Active |
트랜지스터 유형: | LDMOS |
빈도: | 2.14GHz |
얻다: | 16.2dB |
전압 - 테스트: | 28 V |
전류 정격(암페어): | - |
노이즈 피겨: | - |
현재 - 테스트: | 500 mA |
전력 - 출력: | 63W |
전압 - 정격: | 65 V |
패키지/케이스: | NI-1230-4LS2L |
공급자 장치 패키지: | NI-1230-4LS2L |
MD7P19130HR3 | RF 2-ELEMENT, S BAND, N-CHANNEL | 3106 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MRF6S21190HR3 | RF S BAND, N-CHANNEL | 897 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MRF6VP41KHR5 | RF N-CHANNEL, MOSFET | 1453 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CGH25120F | 120W GAN HEMT 28V 2.5-2.7GHZ FET | 862 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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A2T27S007NT1 | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO | 962 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MMBFJ309 | RF SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA | 4895 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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LET9045C | MOSFET N-CH 80V 9A M-250 | 993 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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PD84002 | FET RF 25V 870MHZ | 3002 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MRF1517NT1 | FET RF 25V 520MHZ PLD-1.5 | 1366 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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BLA6H0912L-1000U | RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539A | 956 주문에 대해 자세히 알아보기 |
재고 | 10830 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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견적 한도 | 제한 없음 |
리드타임 | 확인 예정 |
최저한의 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $365.74393 | $365.74393 |
150 | $160.80647 | $24120.9705 |
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