참고용
부품 번호 | A2G26H281-04SR3 |
LIXINC Part # | A2G26H281-04SR3 |
제조사 | NXP Semiconductors |
범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - fet, mosfets - rf |
설명 | AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR |
라이프사이클 | 활동적인 |
RoHS | RoHS 정보 없음 |
EDA/CAD 모델 | A2G26H281-04SR3 PCB 풋프린트 및 기호 |
창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
예상 배달 시간 | Oct 09 - Oct 13 2024(빠른 배송 선택) |
보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
지불 | |
배송 |
부품 번호: | A2G26H281-04SR3 |
상표: | NXP Semiconductors |
라이프사이클: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
범주: | 이산 반도체 |
하위 카테고리: | 트랜지스터 - fet, mosfets - rf |
제조사: | NXP Semiconductors |
시리즈: | - |
패키지: | Tape & Reel (TR) |
부품 상태: | Active |
트랜지스터 유형: | LDMOS |
빈도: | 2.496GHz ~ 2.69GHz |
얻다: | 14.2dB |
전압 - 테스트: | 48 V |
전류 정격(암페어): | - |
노이즈 피겨: | - |
현재 - 테스트: | 150 mA |
전력 - 출력: | 50W |
전압 - 정격: | 125 V |
패키지/케이스: | NI-780S-4L |
공급자 장치 패키지: | NI-780S-4L |
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재고 | 10931 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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견적 한도 | 제한 없음 |
리드타임 | 확인 예정 |
최저한의 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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250 | $148.70332 | $37175.83 |
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