참고용
| 부품 번호 | A2T18H410-24SR6 |
| LIXINC Part # | A2T18H410-24SR6 |
| 제조사 | NXP Semiconductors |
| 범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - fet, mosfets - rf |
| 설명 | IC TRANS RF LDMOS |
| 라이프사이클 | 활동적인 |
| RoHS | RoHS 정보 없음 |
| EDA/CAD 모델 | A2T18H410-24SR6 PCB 풋프린트 및 기호 |
| 창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
| 예상 배달 시간 | Oct 09 - Oct 13 2024(빠른 배송 선택) |
| 보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
| 지불 | 
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| 배송 |  |
| 부품 번호: | A2T18H410-24SR6 |
| 상표: | NXP Semiconductors |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 이산 반도체 |
| 하위 카테고리: | 트랜지스터 - fet, mosfets - rf |
| 제조사: | NXP Semiconductors |
| 시리즈: | - |
| 패키지: | Tape & Reel (TR) |
| 부품 상태: | Active |
| 트랜지스터 유형: | LDMOS (Dual) |
| 빈도: | 1.81GHz |
| 얻다: | 17.4dB |
| 전압 - 테스트: | 28 V |
| 전류 정격(암페어): | - |
| 노이즈 피겨: | - |
| 현재 - 테스트: | 800 mA |
| 전력 - 출력: | 71W |
| 전압 - 정격: | 65 V |
| 패키지/케이스: | NI-1230-4LS2L |
| 공급자 장치 패키지: | NI-1230-4LS2L |
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CGH55015F2 | RF MOSFET HEMT 28V 440166 | 978 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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BLF188XRU | RF FET LDMOS 135V 24.4DB SOT539A | 1219 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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BLP8G10S-270PWY | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT12212 | 1140 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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BLL9G1214LS-600U | BLL9G1214LS-600/SOT502/TRAY | 895 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CGHV27060MP-AMP3 | 0.8-2.7GHZ, AMP W/ CGHV27060MP | 955 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MRF7S19080HR3 | FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 | 845 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MMRF1005HSR5 | FET RF 120V 1.3GHZ NI-780S | 820 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MRF5P21045NR1 | FET RF 2CH 65V 2.17GHZ TO-270-4 | 949 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MRF6S18140HR5 | FET RF 68V 1.88GHZ NI880 | 1017 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CG2H40045F | RF MOSFET HEMT 28V 440193 | 1436 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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GTVA101K42EV-V1 | 1400W GAN HEMT, 50V, 0.96-1.4GHZ | 870 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
BLF188XRSU | RF FET LDMOS 135V 24.4DB SOT539B | 1003 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
BLF184XRU | RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214A | 973 주문에 대해 자세히 알아보기 |
| 재고 | 10908 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $530.15547 | $530.15547 |
| 150 | $256.40247 | $38460.3705 |
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