참고용
| 부품 번호 | PD20010-E |
| LIXINC Part # | PD20010-E |
| 제조사 | STMicroelectronics |
| 범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - fet, mosfets - rf |
| 설명 | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF |
| 라이프사이클 | 활동적인 |
| RoHS | RoHS 정보 없음 |
| EDA/CAD 모델 | PD20010-E PCB 풋프린트 및 기호 |
| 창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
| 예상 배달 시간 | Sep 19 - Sep 23 2024(빠른 배송 선택) |
| 보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
| 지불 | 
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| 배송 |  |
| 부품 번호: | PD20010-E |
| 상표: | STMicroelectronics |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 이산 반도체 |
| 하위 카테고리: | 트랜지스터 - fet, mosfets - rf |
| 제조사: | STMicroelectronics |
| 시리즈: | - |
| 패키지: | Tube |
| 부품 상태: | Active |
| 트랜지스터 유형: | LDMOS |
| 빈도: | 2GHz |
| 얻다: | 11dB |
| 전압 - 테스트: | 13.6 V |
| 전류 정격(암페어): | 5A |
| 노이즈 피겨: | - |
| 현재 - 테스트: | 150 mA |
| 전력 - 출력: | 10W |
| 전압 - 정격: | 40 V |
| 패키지/케이스: | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
| 공급자 장치 패키지: | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
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AFT20P060-4NR3 | FET RF 2CH 65V 2.17GHZ OM780-4 | 994 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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PD55003TR-E | FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10 | 1267 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CPH3437-TL-E | NCH 2.5V DRIVE SERIES | 45832 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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PTFC270051M-V2 | 5W, SI LDMOS, 28V, 700-2700MHZ | 985 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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BLF6G22LS-40P,118 | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1121B | 838 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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ARF460BG | FET RF N-CH 500V 14A TO247 | 1037 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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BLC8G27LS-180AVZ | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12753 | 857 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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ART2K0FEU | ART2K0FE/SOT539/TRAY | 1017 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CG2H40010F | RF MOSFET HEMT 28V 440166 | 1483 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MCH6415-TL-E | NCH 1.8V DRIVE SERIES | 9804 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MRF8S21120HSR3 | RF S BAND, N-CHANNEL | 1368 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MRF8P8300HSR6 | FET RF 2CH 70V 820MHZ NI1230S | 986 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CGHV40100P | RF MOSFET HEMT 50V 440206 | 1011 주문에 대해 자세히 알아보기 |
| 재고 | 10949 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $15.54000 | $15.54 |
| 50 | $13.68632 | $684.316 |
| 100 | $12.05868 | $1205.868 |
| 500 | $10.72705 | $5363.525 |
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