US1M-E3/5AT

US1M-E3/5AT
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부품 번호 US1M-E3/5AT
LIXINC Part # US1M-E3/5AT
제조사 Vishay General Semiconductor – Diodes Division
범주 이산 반도체다이오드 - 정류기 - 단일
설명 DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
라이프사이클 활동적인
RoHS RoHS 정보 없음
EDA/CAD 모델 US1M-E3/5AT PCB 풋프린트 및 기호
창고 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR
예상 배달 시간 Oct 20 - Oct 24 2024(빠른 배송 선택)
보증 최대 1년 [제한 보증]*
지불 Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
배송 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

US1M-E3/5AT 명세서

부품 번호:US1M-E3/5AT
상표:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
라이프사이클:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
범주:이산 반도체
하위 카테고리:다이오드 - 정류기 - 단일
제조사:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
시리즈:-
패키지:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
부품 상태:Active
다이오드 유형:Standard
전압 - dc 역방향(vr)(최대):1000 V
전류 - 평균 정류(io):1A
전압 - 순방향(vf)(최대) @ if:1.7 V @ 1 A
속도:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역회복 시간(trr):75 ns
전류 - 역 누설 @ vr:10 µA @ 1000 V
커패시턴스 @ vr, f:10pF @ 4V, 1MHz
장착 유형:Surface Mount
패키지/케이스:DO-214AC, SMA
공급자 장치 패키지:DO-214AC (SMA)
작동 온도 - 접합:-55°C ~ 150°C

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