NSB8KTHE3_A/P | Vishay General Semiconductor – Diodes Division NSB8KTHE3_A/P

NSB8KTHE3_A/P

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참고용

부품 번호	NSB8KTHE3_A/P
LIXINC Part #	NSB8KTHE3_A/P
제조사	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
범주	이산 반도체 › 다이오드 - 정류기 - 단일
설명	DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
라이프사이클	활동적인
RoHS	RoHS 정보 없음
EDA/CAD 모델	NSB8KTHE3_A/P PCB 풋프린트 및 기호
창고	미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR
예상 배달 시간	Oct 08 - Oct 12 2024(빠른 배송 선택)
보증	최대 1년 [제한 보증]*
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NSB8KTHE3_A/P 명세서

부품 번호:	NSB8KTHE3_A/P
상표:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
라이프사이클:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
범주:	이산 반도체
하위 카테고리:	다이오드 - 정류기 - 단일
제조사:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
시리즈:	Automotive, AEC-Q101
패키지:	Tube
부품 상태:	Active
다이오드 유형:	Standard
전압 - dc 역방향(vr)(최대):	800 V
전류 - 평균 정류(io):	8A
전압 - 순방향(vf)(최대) @ if:	1.1 V @ 8 A
속도:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역회복 시간(trr):	-
전류 - 역 누설 @ vr:	10 µA @ 800 V
커패시턴스 @ vr, f:	55pF @ 4V, 1MHz
장착 유형:	Surface Mount
패키지/케이스:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지:	TO-263AB
작동 온도 - 접합:	-55°C ~ 150°C

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